Intel第三代3D閃存固態盤曝光

圖中,Intel介紹,最左邊是2016年的第一代1TB 3D閃存SSD,中間是第二代,右邊是明年的第三代,顯然,他們分別代表2.5寸SATA3、M.2和BGA封裝

東芝全新UFS2.1閃存 具備900MB/s速度

速度方面，滿足UFS2.1標準，64GB的典型讀取速度900MB/s、寫入速度180MB/s

東芝全球首發QLC閃存：壽命與TLC一樣耐用

QLC閃存由于采用了四比特設計,每個單元內都有多達16種不同的電壓狀態,相比TLC又翻了一番,而且又不能把單元面積做的太大,因此控制難度急劇增大

韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場

三星電子去年四季度在全球NAND閃存市場占有率為37.1%,排名第一,SK海力士以9.6%排名第五,東芝（18.3%）、西部數據（17.7%）和美光（10.6%）分別位列第二至第四

IBM發布“相變存儲”技術：比現有閃存快70倍

相變存儲技術結合了DRAM和閃存的優點。DRAM的存取速度是相變存儲的5到10倍,但相變存儲的存取速度是閃存的約70倍

東芝計劃投資3600億日元建設3D閃存新廠房

為擴大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產,東芝在毗鄰日本四日市工廠(三重縣四日市市)的區域建造新廠房以及引進生產設備的投資方案已獲得董事會批準

SanDisk發布200GB閃存卡