之前曾有消息稱,三星計劃投資西安閃存芯片80億美元,以促進NAND閃存芯片的生產,據悉該工廠每月可加工12萬片晶圓,擴建后將開始每月加工13萬片晶圓。

早在2017年的時候,該公司宣布,計劃在未來三年內向其位于西安的NAND閃存芯片工廠投資70億美元,這筆投資是三星西安閃存芯片項目二期的第一階段投資。
三星二期項目的總投資為150億美元,預計于2021年下半年竣工。此前,該公司還向西安的一家檢測和包裝工廠投資了108億美元,這筆投資是三星西安閃存芯片項目的一期投資。
目前,三星在三個地方生產3D NAND:韓國的華城、平澤和中國的西安。自2014年以來,該公司就一直在其位于西安的工廠生產NAND芯片。最近,該公司在其位于平澤的工廠增加了第二條生產線,預計將于明年投產。
有分析人士表示,三星為了打擊國產自主內存,正在加大投資,以保證足夠的創新。今年9月,紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
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