北京時間12月12日晚間消息,據(jù)國外媒體報道,三星電子將對其中國芯片工廠增加80億美元的投資,以促進NAND閃存芯片的生產(chǎn)。
三星的此次投資正值全球內(nèi)存市場預計于明年反彈之際。據(jù)預計,由于供應有限,以及對5G設備和網(wǎng)絡需求的不斷上升,明年全球內(nèi)存芯片市場將出現(xiàn)反彈。
三星是世界上最大的NAND閃存芯片制造商,NAND閃存芯片可以永久保存數(shù)據(jù),普遍用于移動設備、存儲卡、USB閃存驅(qū)動器和固態(tài)驅(qū)動器中。
三星2017年曾宣布,未來三年將向生產(chǎn)NAND閃存芯片的西安工廠投資70億美元。在此之前,三星早些時候還向西安的一家檢測和包裝工廠投資了108億美元。
此次80億美元的投資是三星西安閃存芯片項目的二期的第二階段投資,之前的 108億美元為一期投資。二期項目總投資150億美元,第一階段投資約70億美元,第二階段為80億美元。
二期項目預計于2021年下半年竣工,建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片,新增產(chǎn)值300億元。
三星在NAND閃存領域的競爭對手包括韓國的SK Hynix、美國的美光科技和日本的東芝公司。此外,幾家中國公司也曾試圖進入該市場。
今年9月,紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
【版權(quán)聲明】秉承互聯(lián)網(wǎng)開放、包容的精神，萬通商務網(wǎng)歡迎各方(自)媒體、機構(gòu)轉(zhuǎn)載、引用我們原創(chuàng)內(nèi)容，但要嚴格注明來源萬通商務網(wǎng)；同時，我們倡導尊重與保護知識產(chǎn)權(quán)，如發(fā)現(xiàn)本站文章存在版權(quán)問題，煩請將版權(quán)疑問、授權(quán)證明、版權(quán)證明、聯(lián)系方式等，發(fā)郵件至770276607@qq.com，我們將第一時間核實、處理。
部分資訊信息轉(zhuǎn)載網(wǎng)絡或會員自己投稿發(fā)布，如果有侵犯作者權(quán)力，請聯(lián)系我們刪除處理，聯(lián)系QQ：770276607
部分資訊信息轉(zhuǎn)載網(wǎng)絡或會員自己投稿發(fā)布，如果有侵犯作者權(quán)力，請聯(lián)系我們刪除處理，聯(lián)系QQ：770276607
