SiC納米材料具有高的禁帶寬度,高的臨界擊穿電場和熱導率,小的介電常數和較高的電子飽和遷移率,以及抗輻射能力強,機械性能好等特性,成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。SiC 納米線表現出的室溫光致發光性,使其成為制造藍光發光二極管和激光二極管的理想材料。近年來的研究表明:微米級SiC晶須已被應用于增強陶瓷基、金屬基和聚合物基復合材料,這些復合材料均表現出良好的機械性能,可以想象用強度硬度更高及長徑比更大的SiC 一維納米材料作為復合材料的增強相,將會使其性能得到進一步增強。SiC一維納米材料具有 閾值場強低,電流密度大,高溫穩定性好等優異特點可望作為電場發射材料,利用這一特性可制成第三代新型電子光源,并將在圖像顯示技術方面發揮巨大作用。隨著研究的深入,研究者還發現一維SiC納米結構在儲氫、光催化和傳感等領域都有廣泛的應用前景。

比表面積大,高表面活性,松裝密度低,具有極好的力學,熱學,電學和化學性能,即具有高硬度,高耐磨性和良好的自潤滑,高熱傳導率,低熱膨脹系數及高溫強度大等特點◆ 性能特點

1、納米碳化硅粉體具有純度高、粒徑分布范圍小、高比表面積等特點;

2、本產品具有化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好等特點;3、顯微硬度為2840~3320kg/mm2, 其硬度介于剛玉和金剛石之間, 機械強度高于剛玉;

4、納米碳化硅具有優良的導熱性能,還是一種半導體,高溫時能抗氧化。

1、制造結構器件:如冶金,化工,機械,航天及能源等行業中使用的滑動軸承,液體燃料噴嘴,坩堝,大功率高頻率模具,半導體元器件等。

2、金屬及其它材料表面處理: 刀具,模具,耐熱涂層,散熱表面涂層,防腐涂層及吸波涂層等。

3、復合材料: 制備金屬基,陶瓷基,高分子基復合材料。