一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件[1],創制于1957年,由于它特性類似

于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱可控硅T。又由于可控硅最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。

在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。

可控硅的優點很多,例如：以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快,在微秒級內開通、關斷；無觸點運行,無火花、無噪音；效率高,成本低等等。

可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅有多種分類方法。

一、按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

二、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

三、按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

四、按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

五、按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,有的還帶散熱板。典型產品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V)、2N6075(4A/600V),MAC218-10(8A/800V)等。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝。

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通,故除門極G以外的兩個電極統稱為主端子,用T1、T2。表示,不再劃分成陽極或陰極。其特點是,當G極和T2極相對于T1,的電壓均為正時,T2是陽極,T1是陰極。反之,當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時,T1變成陽極,T2為陰極。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對稱性,所以它可在任何一個方向導通。

雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓,就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通,即使失去觸發電壓,也能繼續保持導通狀態。只有當第一陽極A1、第二陽極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時,雙向可控硅才截斷,此時只有重新加觸發電壓方可導通。

雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?

三端：TRIode(取前三個字母)

交流半導體開關：ACsemiconductorswitch

(取前兩個字母)

以上兩組名詞組合成“TRIAC”

中文譯意“三端雙向可控硅開關”。

由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統稱。

雙　向：Bi-directional(取第一個字母)

控　制：Controlled(取第一個字母)

整流器：Rectifier(取第一個字母)

再由這三組英文名詞的首個字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。

雙　向：Bi-directional(取第一個字母)

三　端：Triode(取第一個字母)

由以上兩組單詞組合成“BT”,也是對雙向可控硅產品的型號命名,典型的生產商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,均以此來命名雙向可控硅。

代表型號如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；

Philips公司的產品型號前綴為“BTA”字頭的,通常是指三象限的雙向可控硅。

而意法ST公司,則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號,如：

四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；

四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；

ST公司所有產品型號的后綴字母(型號最后一個字母)帶“W”的,均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。

至于型號后綴字母的觸發電流,各個廠家的代表含義如下：PHILIPS公司：D=5mA,E=10mA,C=15mA,F=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,

型號沒有后綴字母之觸發電流,通常為25-35mA；

PHILIPS公司的觸發電流代表字母沒有統一的定義,以產品的封裝不同而不同。

意法ST公司：TW=5mA,SW=10mA,CW=35mA,BW=50mA,C=25mA,B=50mA,H=15mA,T=15mA,注意：以上觸發電流均有一個上下起始誤差范圍,產品PDF文件中均有詳細說明

一般分為最小值/典型值/最大值,而非“=”一個參數值。

IT(AV)——通態平均電流

VRRM——反向反復峰值電壓

IDRM——斷態重復峰值電流

ITSM——通態一個周波不反復浪涌電流

VTM——通態峰值電壓

IGT——門極觸發電流

VGT——門極觸發電壓

IH——維持電流

dv/dt——斷態電壓臨界上升率

di/dt——通態電流臨界上升率

Rthjc——結殼熱阻

VISO——模塊絕緣電壓

Tjm——額定結溫

VDRM——斷態重復峰值電壓

IRRM——反向重復峰值電流

IF(AV)——正向平均電流

常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。

將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯．再將控制板與本觸發電路連接,就組成了

一個簡單實用的大功率無級調速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負載與本電路串聯后接通電源,兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產生,調節電位器R2即可改變兩只可控硅的導通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個主可控硅阻斷,因此R2還可起開關的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導通,一個的正向壓降就是另一個的反向壓降,因此不存在反向擊穿問題。但當外加電壓瞬時超過阻斷電壓時,SCR1、SCR2會誤導通,導通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構成普通移相觸發電路,其原理這里從略。

SCR1、SCR2選用封裝好的可控硅模塊(110A/1000V),SCR3選用BTl36,即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負載,應增加R4,C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護,防止負載斷開和接通瞬間產生很高的感應電壓損壞可控硅。

1、可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。

當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發信號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic。

2、此時,電流ic2再經BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環的結果,兩個管子的電流劇增,可控硅使飽和導通。

由于BG1和BG2所構成的正反饋作用,所以一旦可控硅導通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導通狀態,由于觸發信號只起觸發作用,沒有關斷功能,所以這種可控硅是不可關斷的。

由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化,條件如下：

A、從關斷到導通1、陽極電位高于是陰極電位,2、控制極有足夠的正向電壓和電流,兩者缺一不可。

B、維持導通1、陽極電位高于陰極電位,2、陽極電流大于維持電流,兩者缺一不可。

C、從導通到關斷1、陽極電位低于陰極電位,2、陽極電流小于維持電流,任一條件即可。

觸發導通

在控制極G上加入正向電壓時因J3正偏,P2區的空穴時入N2區,N2區的電子進入P2區,形成觸發電流IGT。在可控硅的內部正反饋作用的基礎上,加上IGT的作用,使可控硅提前導通,導致伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T1極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極（G）。

1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極,若正、反測指針均不動（R×1擋）,可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測,其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,余下是T2極。
2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時接通G、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極,指針應指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發,且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通,指針應退回∞位置,則表明可控硅良好。

對于1~6A雙向可控硅,紅筆接T1極,黑筆同時接G、T2極,在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調,重復上述步驟測一次,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則表明可控硅良好,且觸發電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極,指針立即退回∞位置,則說明可控硅觸發電流太大或損壞。對于單向可控硅,閉合開關K,燈應發亮,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞。

對于雙向可控硅,閉合開關K,燈應發亮,斷開K,燈應不息滅。然后將電池反接,重復上述步驟,均應是同一結果,才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

帶3伏電池的指針萬用表電阻R*1Ω擋,用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻,結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時,該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G,另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后,再仔細測量A1、G極間正、反向電阻,讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2,紅表筆接第一陽極A1,此時萬用表指針不應發生偏轉,阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發電壓,A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線,萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線,紅表筆接第二陽極A2,黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉,阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負的觸發電壓,A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線,萬用表讀數應不變,保持在10歐姆左右。符合以上規律,說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控硅時,需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V干電池,以提高觸發電壓。

參數符號

IT(AV)——通態平均電流 VDRM——通態重復峰值電壓
VRRM——反向重復峰值電壓 IRRM——反向重復峰值電流
IDRM——斷態重復峰值電流 IF(AV)——正向平均電流
VTM——通態峰值電壓 Tjm——額定結溫
VGT——門極觸發電壓 VISO——模塊絕緣電壓
IH——維持電流 Rthjc——結殼熱阻
IGT——門極觸發電流 di/dt——通態電流臨界上升率
ITSM——通態一個周波不重復浪涌電流 dv/dt——斷態電壓臨界上升率

反向特性

當控制極開路,陽極加上反向電壓時,J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后,接差J3結也擊穿,電流迅

速增加,特性開始彎曲,如特性OR段所示,彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時,可控硅會發生永久性反向。

正向特性

當控制極開路,陽極上加上正向電壓時,J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與普通PN結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增加,特性發生了彎曲,如特性OA段所示,彎曲處的是UBO叫：正向轉折電壓,由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后,J2結發生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子時入N1區,空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合,同樣,進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子復合,雪崩擊穿,進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部復合掉,這樣,在N1區就有電子積累,在P2區就有空穴積累,結果使P2區的電位升高,N1區的電位下降,J2結變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現所謂負阻特性。

這時J1、J2、J3三個結均處于正偏,可控硅便進入正向導電狀態——-通態,此時,它的特性與普通的PN結正向特性相似

DIP4管腳型ZC三端雙向可控硅光電耦合器

利用萬用表RXl檔判定雙向可控硅電極的方法,同時還檢查觸發能力。

判定T2極

G極與T1極靠近,距T2極較遠。因此,G—T1之間的正、反向電阻都很小。在肦Xl檔測任意兩腳之間的電阻時,只有在G-T1之間呈現低阻,正、反向電阻僅幾十歐,而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明,如果測出某腳和其他兩腳都不通,就肯定是T2極。另外,采用TO—220封裝的雙向可控硅,T2極通常與小散熱板連通,據此亦可確定T2極。

區分G極和T1極

1、找出T2極之后,首先假定剩下兩腳中某一腳為Tl極,另一腳為G極。

2、把黑表筆接T1極,紅表筆接T2極,電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路,給G極加上負觸發信號,電阻值應為十歐左右,證明管子已經導通,導通方向為T1一T2。再將紅表筆尖與G極脫開(但仍接T2),若電阻值保持不變,證明管子在觸發之后能維持導通狀態。

規則1.為了導通閘流管（或雙向可控硅）,必須有門極電流≧IGT,直至負載電流達到≧IL。這條件必須滿足,并按可能遇到的最低溫度考慮。

規則2.要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅）。

規則3.設計雙向可控硅觸發電路時,只要有可能,就要避開3象限（WT2-,+）。規則4.為減少雜波吸收,門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選用H系列低靈敏度雙向可控硅。

規則5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題,在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題,加入一幾mH的電感和負載串聯。另一種解決辦法,采用Hi-Com雙向可控硅。

規則6.假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之一：負載上串聯電感量為幾μH的不飽和電感,以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源,并在電源側增加濾波電路。

規則7.選用好的門極觸發電路,避開3象限工況,可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

規則8.若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出,負載上最好串聯一個幾μH的無鐵芯電感,或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導通。

規則9.器件固定到散熱器時,避免讓雙向可控硅受到應力。固定,然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側。

規則10.為了長期可靠工作,應保證Rthj-a足夠低,維持Tj不高于Tjmax,其值相應于可能的最高環境溫度。

雙向晶閘管可廣泛用于工業、交通、家用電器等領域,實現交流調壓、電機調速、交流開關、路燈自動開啟與關閉、溫度控制、臺燈調光、舞臺調光等多種功能,它還被用于固態繼電器(SSR)和

固態接觸器電路中。圖5是由雙向晶閘管構成的接近開關電路。R為門極限流電阻,JAG為干式舌簧管。平時

JAG斷開,雙向晶閘管TRIAC也關斷。僅當小磁鐵移近時JAG吸合,使雙向晶閘管導通,將負載電源接通。由于通過干簧管的電流很小,時間僅幾微秒,所以開關的壽命很長。

現在可控硅應用市場相當廣闊,可控硅應用在自動控制領域,機電領域,工業電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者,他目前的幾個大單中還有用于卷發產品的單,可見可控硅在人們的生活中都有廣泛的應用。更重要的是,可控硅應用相當穩定,比方說用于家電產品中的電子開關,可以說是鮮少變化的。無論其他的元件怎么變化,可控硅的變化是不大的,這相對來說,等于擴大的可控硅的應用市場,減少了投資的風險。隨著消費類電子產品的熱銷,更為可控硅提供了銷售空間。 推出兩款可優化消費電子產品性能的新型標準三端雙向可控硅開關元件,這兩種三端雙向可控硅開關采用先進的平面硅結構設計,具有很高的可靠性,加上在導通狀態下的損耗最多僅為1.5V,因而可達致高效率。這兩種產品的目標應用領域包括：洗衣機、吸塵器、調光器、遙控開關和交流電機控制設備。

過零觸發型交流固態繼電器(AC-SSR)的內部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發電路、開關電路(包括雙向晶閘管)、保護電路(RC吸收網絡)。當加上輸入信號VI(一般為高電平)、并且交流負載電源電壓通過零點時,雙向晶閘管被觸發,將負載電源接通。固態繼電器具有驅動功率小、無觸點、噪音低、抗干擾能力強,吸合、釋放時間短、壽命長,能與TTL\CMOS電路兼容,可取代傳統的電磁繼電器。

雙向可控硅可廣泛用于工業、交通、家用電器等領域,實現交流調壓、電機調速、交流開關、路燈自動開啟與關閉、溫度控制、臺燈調光、舞臺調光等多種功能,它還被用于固態繼電器(SSR)和固態接觸器電路中。

雙向和單向可控硅的區別。

普通晶閘管（又稱可控硅）是一種大功率半導體器件,主要用于大功率的交直流變換、調壓等。

單向可控硅通過觸發信號（小的觸發電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性,一只雙向可控硅的工作原理,可等效兩只同型號的單向可控硅互相反向并聯,然后串聯在調壓電路

中實現其可控硅交流調壓的。

可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistor,中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作,具有耐壓高、容量大、體積小等特點,它是大功率形狀型半導體器件,廣泛應用于電力、電子線路中。

一、可控硅的特性

可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。有陽極A、陰極中、控制極G三個引腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1）,第二陽極A2（T2）、控制極G三個引腳。

單向,就是當經過可控硅電流單向流動。所以當電流反向時候,可控硅就不通,膚淺的說也就講其兩邊的電路短開了,所以它的用途之一就是用來穩流(你想,交變電電流不是方向要變嗎,就只有一個方向的可以過了)。雙向的嘛,就是怎么樣都通,可以空來穩壓。

當然可控硅最主要的作用之一就是穩壓穩流。

交流調壓多采用雙向可控硅,它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優點,對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果,但它也具有過載和抗干擾能力差,且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點,下面談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。

一、靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制極導通,四種條件下雙向可控硅均可被觸發導通,但是觸發靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進入導通狀態的最小門極電流IGT是有區別的,其中(a)觸發靈敏度最高,(b)觸發靈敏度最低,為了保證觸發同時又要盡量限制門極電流,應選擇(c)或(d)的觸發方式。

二、可控硅過載的保護　　

可控硅元件優點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件
(1、外加電壓下允許超過正向轉折電壓,否則控制極將不起作用；
(2、可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按最大電流的1.5～2倍來取；
(3、為保證控制極可靠觸發,加到控制極的觸發電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護措施,一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側或直流側,當在交流側時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護常發生在存在電感的電路上,或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以抑制。

三、控制大電感負載時的干擾電網和自干擾的避免　　

可控硅元件控制大電感負載時會有干擾電網和自干擾的現象,其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時,其線圈中的電流通路被切斷,其變化率極大,因此在電感上產生一個高電壓,這個電壓通過電源的內阻加在開關觸點的兩端,然后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所必須的電壓為止,在這一過程中將產生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上,并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,這種脈沖具有很高的幅度,很寬的頻率,因而具有感性負載的開關點是一個很強的噪聲源。

1、為防止或減小噪聲,對于移相控制式交流調壓一般的處理方法有電感電容濾波電路,阻容阻尼電路和雙向二極管阻尼電路及其它電路。

2、電感電容濾波電路,由電感電容構成諧振回路,其低通截止頻率為f=1/2πIc,一般取數十千赫低頻率。

3、雙向二極管阻尼電路。由于二極管是反向串聯的,所以它對輸入信號極性不敏感。當負載被電源激勵時,抑制電路對負載無影響。當電感負載線圈中電流被切斷時,則在抑制電路中有瞬態電流流過,因此就避免了感應電壓通過開關接點放電,也就減小了噪聲,但是要求二極管的反向電壓應比可能出現的任何瞬態電壓高。另一個是額定電流值要符合電路要求。

4、電阻電容阻尼電路,利用電容電壓不能突變的特性吸收可控硅換向時產生的尖峰狀過電壓,把它限制在允許范圍內。串接電阻是在可控硅阻斷時防止電容和電感振蕩,起阻尼作用,另外阻容電路還具有加速可控硅導通的作用。

5、另外一種防止或減小噪聲的方法是利用通斷比控制交流調壓方式,其原理是采用過零觸發電路,在電源電壓過零時就控制雙向可控硅導通和截止,即控制角為零,這樣在負載上得到一個完整的正弦波,但其缺點是適用于時間常數比通斷周期大的系統,如恒溫器。

晶閘管元件的主要弱點是承受過電流和國電壓的能力很差,即使短時間的過流和過電壓,也可能導致晶閘管的損壞,所以必須對它采用適當的保護措施。

1、過電流保護

晶閘管出現過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發。過電流保護有以下幾種：

快速容斷器 快速容斷器中的溶絲是銀質的,只要選用適當,在同樣的過電流倍數下,它可以在晶閘管損壞前先溶斷,從而保護了晶閘管。

過電流繼電器 當電流超過過電流繼電器的整定值時,過電流繼電器就會動作,切斷保護電路。但由于繼電器動作到切斷電路需要一定時間,所以只能用作晶閘管的過載保護。

過載截止保護 利用過電流的信號將晶閘管的觸發信號后移,或使晶閘管得導通角減小,或干脆停止觸發保護晶閘管。

2、過電壓保護

過電壓可能導致晶閘管的擊穿,其主要原因是由于電路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或晶閘管在導通與截止間的轉換。對過壓保護可采用兩種措施

阻容保護 阻容保護是電阻和電容串聯后,接在晶閘管電路中的一種過電壓保護方式,其實質是利用電容器兩端電壓不能突變和電容器的電場儲能以及電阻使耗能元件的特性,把過電壓的能量變成電場能量儲存在電場中,并利用電阻把這部分能量消耗掉。