深圳市星際金華大量提供上乘原裝現(xiàn)貨供應sir820dp金屬氧化物場效應晶體管   量大價優(yōu)   質(zhì)量有保證

規(guī)格參數(shù)值：

fet 類型 n 溝道

技術(shù) mosfet（金屬氧化物）

漏源電壓（vdss） 30v

電流 - 連續(xù)漏極（id）（25°c 時） 40a（tc）

驅(qū)動電壓（ rds on，小 rds on） 4.5v，10v

不同 id 時的 vgs（th）（值） 2.4v @ 250μa

不同 vgs 時的柵極電荷 （qg）（值） 95nc @ 10v

vgs（值） ±20v

不同 vds 時的輸入電容（ciss）（值） 3512pf @ 15v

fet 功能 -

功率耗散（值） 37.8w（tc）

不同 id，vgs 時的 rds on（值） 3 毫歐 @ 15a，10v

工作溫度 -55°c ~ 150°c（tj）

安  裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 powerpak® so-8

封裝/外殼 powerpak® so-8

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