SI2323場效應管詳細參數：

漏源電壓（VDS）：-20V

柵源電壓（VGS）：±12V

連續漏極電流（ID）：-4.1A

脈沖漏極電流（IDM）：-15A

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：-1μA

柵極閾值電壓（VGS (th)）：-0.7V

導通電阻（RDS (on)）： 0.050Ω@ 4.5V

                                    0.070Ω@ 2.5V

功率損耗（PD）：1.25W

工作溫度范圍：-55℃~150℃

SI2323 場效應管是一種高性能的 P 溝道 MOSFET其主要功能與作用如下：

開關作用：場效應管最顯著的特性之一就是開關特性好。對于 SI2323 這種 P 溝道的場效應管,當柵源電壓低于一定值時,場效應管導通,電流可以從漏極流向源極；當柵源電壓高于一定值時,場效應管截止,阻止電流通過。因此,它可以用于各種電子負載控制、開關電源等電路中,實現電路的通斷控制。

放大作用：在一些需要對信號進行放大的電路中,場效應管可以作為放大器使用。通過控制柵源電壓的大小,可以改變漏極和源極之間的電流,從而實現對輸入信號的放大。

恒流源：場效應管可以方便地用作恒流源。由于其輸出電流相對穩定,不受負載變化的影響,因此在需要穩定電流輸出的電路中,如電子儀器、傳感器等領域,有著廣泛的應用。

阻抗變換：場效應管具有很高的輸入阻抗,非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級,以提高電路的輸入阻抗,減少信號源的負載效應。